Человек
Будущее
Новые статьи о прогрессе
- Повышение уровня моря
- Проблема эпидемий в современном мире
- Искусственный интеллект и связанные с ним глобальные проблемы
- Экономический кризис как глобальная проблема
- Глобальная проблема спорных территорий
- Исчезновение языков и культур малых народов
- Вымирание кораллов
- Глобальная проблема безграмотности
Пределы микроминиатюризации |
12.11.2011 12:55 | |||
К сожалению существуют пределы микроминиатюризации. В ИС, которые, по сути, представляют собой переключательные устройства (каждый элемент схемы должен быть либо включен, либо выключен), в моменты переключений выделяется тепло. Чем «щелканье» чаще, тем больше нагревается схема в целом. Вот так элементарная физика словно ставит преграды создателям «суперчипов». Беда в том, что выделяющееся тепло, вызывая перегрев элементов схемы, создает так называемые токи утечки. Возникают паразитные, незапланированные, вредные перекрестные связи между компонентами микросхемы. Схема перестает работать как надо. И это еще что! Когда плотность тока в пленочных проводниках нарастает, достигая миллионов ампер на квадратный сантиметр поверхности ИС, поднимается тепловая буря. Она несет с собой настоящий «электронный ветер». Электроны начинают «сдувать» атомы с их мест в кристаллической решетке. И микроэлементы выходят из строя. По всем этим причинам и полагают, что предельный уровень количества транзисторов в одной микросхеме вряд ли превысит миллиардный рубеж, а размер одного транзистора не может быть снижен до долей микрона (до 10~5 сантиметров). Оно и понятно, скажем, резистор из поликристаллического кремния не может быть меньше микрона уже в силу того, что токи в нем перестанут подчиняться закону Ома.
|